1. 設(shè)備核心原理與技術(shù)基礎(chǔ)

• 掌握X 射線熒光光譜（EDXRF）基礎(chǔ)：知道設(shè)備是通過(guò) X 射線激發(fā)樣品產(chǎn)生特征熒光，再通過(guò)熒光能量識(shí)別元素（如鉛的特征能量是 10.5keV），避免因原理盲區(qū)導(dǎo)致誤操作。
• 了解限用元素標(biāo)準(zhǔn)：熟記 ROHS 指令中限制的 6 種核心元素（鉛、汞、鎘等）及其限值（如鎘≤100ppm、鉛≤1000ppm），明確檢測(cè)的目標(biāo)和合格標(biāo)準(zhǔn)。
• 認(rèn)識(shí)設(shè)備核心組件：能區(qū)分 X 射線管、探測(cè)器、樣品臺(tái)、冷卻系統(tǒng)等關(guān)鍵部件，知道各組件的功能（如探測(cè)器負(fù)責(zé)接收熒光信號(hào)），便于后續(xù)排查簡(jiǎn)單故障（如樣品臺(tái)卡頓）。

2. 樣品處理與制備知識(shí)

• 熟悉樣品預(yù)處理要求：知道不同材質(zhì)（塑料、金屬、元器件）的處理方式，比如塑料需切割成無(wú)油污、無(wú)涂層的小塊（約 2cm×2cm），金屬樣品需打磨去除表面氧化層，避免雜質(zhì)干擾檢測(cè)結(jié)果。
• 了解樣品代表性原則：比如檢測(cè)整機(jī)時(shí)，需拆分關(guān)鍵部件（電路板、外殼）分別測(cè)試，不能直接用整機(jī)作為樣品，避免因局部成分差異導(dǎo)致誤判。

3. 設(shè)備操作與參數(shù)設(shè)置規(guī)范

• 掌握開(kāi)機(jī)與校準(zhǔn)流程：知道開(kāi)機(jī)前需檢查冷卻系統(tǒng)（如循環(huán)水水位），開(kāi)機(jī)后需用標(biāo)準(zhǔn)樣品（如已知鉛含量的塑料片）進(jìn)行校準(zhǔn)，確保設(shè)備檢測(cè)精度。
• 熟悉參數(shù)設(shè)置邏輯：根據(jù)樣品材質(zhì)選擇對(duì)應(yīng)的檢測(cè)模式（如 “塑料模式”“金屬模式”），設(shè)置檢測(cè)時(shí)間（通常 30-120 秒，復(fù)雜樣品需延長(zhǎng)），理解參數(shù)對(duì)檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性的影響（如檢測(cè)時(shí)間越長(zhǎng)，數(shù)據(jù)越穩(wěn)定）。
• 掌握安全操作要求：知道 X 射線屬于電離輻射，操作時(shí)需關(guān)閉防護(hù)門，避免身體直接暴露，定期檢查輻射防護(hù)裝置是否完好，遵守輻射安全規(guī)范。

4. 檢測(cè)數(shù)據(jù)解讀與異常處理

• 學(xué)會(huì)數(shù)據(jù)判讀：能看懂檢測(cè)報(bào)告中的元素含量值、偏差范圍，判斷樣品是否合格（如鎘含量顯示 80ppm，低于 100ppm 即判定合格），區(qū)分 “未檢出”（含量低于設(shè)備檢出限）和 “合格” 的差異。
• 掌握異常處理方法：遇到數(shù)據(jù)波動(dòng)大（如同一樣品兩次檢測(cè)結(jié)果偏差超過(guò) 20%）時(shí)，能排查原因（如樣品未放正、設(shè)備未校準(zhǔn)）；遇到設(shè)備報(bào)錯(cuò)（如 X 射線管故障）時(shí)，知道如何停機(jī)并聯(lián)系維修，避免設(shè)備損壞。